|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА |  |
Номер публикации патента: 2310929 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C014/00 G11C016/14 | | Аналоги изобретения: | M.SHE et al, "Silicon Nitride as Tunnel Dielectric for Improved SONOS-Type Flash Memory", IEEE Electron Device Letters, V.24, N.5, 2003, p.p.309-311. RU 94016378 A1, 27.08.1996. S.MINAMI et al, "A 3-volt 1 Mbit full-Featured EEPROM Using a Highly-Reliable MONOS Device Technology", IECE Transaction on Electronics, v.E77-C, N.8, 1990, p.p.l260-1269. US 6713195 A, 30.03.2004. US 5365105 A, 15.11.1994. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU),Томский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Гриценко Владимир Алексеевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Томский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затв
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента