|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| РЕЖИМ СТИРАНИЯ СТРАНИЦЫ В МАТРИЦЕ ФЛЭШ - ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2222058 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/00 G11C011/40 | | Аналоги изобретения: | US 5278785 А, 11.01.1994. SU 1012704 А1, 27.05.1997. US 5365484 А, 15.11.1994. SU 1108915 А, 27.05.1997. |
| Имя заявителя: | ЭТМЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) | | Изобретатели: | ГУПТА Анил (US)
ШУМАНН Стивен Дж. (US) | | Патентообладатели: | ЭТМЕЛ КОРПОРЕЙШН (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к режиму стирания в матрице флэш-памяти. Техническим результатом является значительное уменьшение возбуждения не выбранных для стирания ячеек памяти при стирании выбранных ячеек памяти. Устройство матрицы флэш-памяти содержит множество транзисторов ячеек памяти, средство для подачи первого напряжения на управляющий затвор, по меньшей мере, одного транзистора стираемой ячейки упомянутой памяти, средство для подачи второго напряжения, более положительного, чем первое напряжени
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента