|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫМИ ЯЧЕЙКАМИ ПАМЯТИ НА ДВУХ ТРАНЗИСТОРАХ |  |
Номер публикации патента: 2213380 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/04 | | Аналоги изобретения: | ЕР 0317443 А1, 24.05.1989. SU 1110315 A1, 15.04.1994. ЕР 0750313 А1, 27.12.1996. WO 96/34391 A1, 31.10.1996. SU 1405575 A1, 30.12.1994. |
| Имя заявителя: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) | | Изобретатели: | ПОКРАНДТ Вольфганг (DE)
СЕДЛАК Хольгер (DE)
ФИМАНН Ханс-Хайнрих (DE) | | Патентообладатели: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству. Техническим результатом является безошибочное программирование полупроводникового запоминающего устройства. Устройство содержит, по меньшей мере, одну ячейку помяти, включающую избирательный транзистор с каналом типа n, запоминающий транзистор с каналом типа n, переходной транзистор с каналом типа р, вертикальные и горизонтальные шины.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента