|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕЕ СВЕРХИНТЕГРИРОВАННОЕ БИМОП ОЗУ НА ЛАВИННЫХ ТРАНЗИСТОРАХ |  |
Номер публикации патента: 2200351 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/04 | | Аналоги изобретения: | SAKUI К., HASEGAWA Т. et al., A New Static Memory Cell Based on the Reverse Base Current Effect of Bipolar Transistors, IEEE Trans, 1989, v.ED-36, р.1215-1217. Сверхбыстродействующие интегральные микросхемы оперативных запоминающих устройств/Под ред. ВЕРНЕРА В.Д. - М.: Радио и связь, 1991, с.91-93. US 5324961 А, 28.06.1994. DE 4121445 A1, 23.01.1992. DE 4209364 A1, 22.10.1992. ЕР 0952614 А1, 27.10.1999. ЕР 0435457 А1, 03.07.1991. |
| Имя заявителя: | Бубенников Александр Николаевич,Зыков Андрей Вячеславович | | Изобретатели: | Бубенников А.Н.
Зыков А.В. | | Патентообладатели: | Бубенников Александр Николаевич
Зыков Андрей Вячеславович |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной микроэлектроники, в частности к интегральным ячейкам статической памяти и оперативным запоминающим устройствам БИС и ЭВМ. Техническим результатом является микромощный режим потребления статических мощностей (единицы-десятки нановатт), приемлемая помехоустойчивость работы, высокие рабочие частоты.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента