|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2182376 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/06 G11C008/00 | | Аналоги изобретения: | IEEE Journal of Solid-State Circuits. Toshikatsu Jinbo et al. "А 5-V-only 16-МВ Flash Memory with Sector Erase Mode". т.27, № 11, 01.11.1992, с.1547-1553, ХР 000320441. SU 1171849 А1, 07.08.1985. US 4823318 А, 18.04.1989. US 4742492 А, 03.05.1988. EP 0182192 А2, 28.05.1986. IEEE Journal of Solid-State Circuits. Т.20, № 1, с.144-151, 1985. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | ЦЕТТЛЕР Томас (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19612456.5 | | Страна приоритета: | DE | | Патентный поверенный: | Кузнецов Юрий Дмитриевич |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является уменьшение потребления мощности, малые поперечные токи, чистота уровней напряжения. Устройство содержит множество запоминающих ячеек, схему селекции, схему управления, контур накачки. 19 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента