|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| САМОПРОГРАММИРУЮЩИЙСЯ ГЕНЕРАТОР НАПРЯЖЕНИЯ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ЗУ, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗУ И СПОСОБ САМОПРОГРАММИРУЮЩЕЙСЯ ГЕНЕРАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ В НЕМ |  |
Номер публикации патента: 2146398 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C016/04 H03K003/011 | | Аналоги изобретения: | EP 0432050 A1, 12.06.91. EP 0377840 A2, 18.07.90. US 5291446 A, 01.03.94. JP 01078494 A, 23.03.89. JP 05250889 A, 23.09.89. EP 0543974 A2, 30.06.93. US 5291447 A, 01.03.94. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Джин-Ки Ким (KR)
Хьюнг-Кью Лим (KR)
Сунг-Соо Ли (KR) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Номер конвенционной заявки: | 1144/1995 | | Страна приоритета: | KR |
Реферат | |
Изобретение относится к энергонезависимым полупроводниковым запоминающим устройствам. Самопрограммирующийся генератор напряжения в энергонезависимом полупроводниковом запоминающем устройстве имеет множество элементов памяти типа плавающего затвора, генератор проходного напряжения, предназначенный для программирования выбранных элементов памяти, и генератор программирующего напряжения. Последний предназначен для проверки того, успешно ли запрограммированы выбранные элементы памяти или нет. Генератор высокого напряжения предназначен для генерации программирующего напряжения. Схема подстройки предназначена для детектирования уровня программирующего напряжения с целью последовательного повышения программирующего напряжения в пределах заданного диапазона напряжений каждый раз, когда выбранные элементы памяти не запрограммированы успешно. Схема сравнения предназначена для сравнения определенного уровня напряжения с опорным напряжением с последующей генерацией сигнала сравнения. Схема управления генерацией высокого напряжения предназначена для активации генератора высокого напряжения в ответ на сигнал сравнения. Технический результат изобретения заключается в возможности обеспечения энергонезависимого полупроводникового запоминающего устройства способностью поддерживать однородное пороговое напряжение программируемых элементов памяти. 2 с. и 6 з.п.ф-лы, 12 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента