Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Гриценко Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены последовательно туннельный слой, запоминающий слой и затвор. Запоминающий слой выполнен из диэлектрика с высокой концентрацией электронных и дырочных ловушек и значением диэлектрической проницаемости, превосходящим значение диэлектрической проницаемости нитрида кремния. Запоминающий слой может быть выполнен с использованием материала: TiO2, Та2О5, AlxTayOz, TaOxNy, HfO2, HfSiOxNy, HfOxNy, Er2O3, La2O3, ZrO2, ZrOxNy, ZrSiOx, Gd2O3, Y2O3, Al2O3, AlOxNy. Элемент памяти может быть снабжен блокирующим слоем между запоминающим слоем и затвором. Изобретение обеспечивает снижение напряжения (до 6 В) и времени записи/стирания информации (до 10 мкс). 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента