|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ФЛЭШ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА |  |
Номер публикации патента: 2287865 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C014/00 | | Аналоги изобретения: | F.R.Libsch et al. Charge Transport and Storage of Low Programming Voltage SONOS/MONOS Memory Device. Solid State Electronics. V.33, 1994, p.105-126. RU 94016378 A1, 27.08.1996. S.Minami et al. A 3-volt 1 Mbit full-Featured EEPROM Using a Highly-Reliable MONOS Device Technology. IECE Transaction on Electronics. V.E77-C, N.8,1990, p.1260-1269. US 6713195 A, 30.03.2004. US 5365105 A, 15.11.1994. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Гриценко Владимир Алексеевич (RU)
Насыров Камиль Ахметович (RU)
Гриценко Дарья Владимировна (RU)
Асеев Александр Леонидович (RU)
Лифшиц Виктор Григорьевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор, при этом подложка в
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента