US 2007/0159870 A1, 12.07.2007. EP 1566810 A2, 24.08.2005. US 2007/0279968 A1, 06.12.2007. US 7379327 B2, 27.05.2008. US 7324366 B2, 29.01.2008. US 2007/0285974 A1, 13.12.2007. RU 2190885 C2, 10.10.2002.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ДЗУНГ Сеонг-Оок (US) САНИ Мехди Хамиди (US) КАНГ Сеунг Х. (US) ЙООН Сей Сеунг (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
27.06.2008 US 12/163,359
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая линия истока по существу расположена параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов, при этом каждая линия истока расположена, по существу, перпендикулярно линиям битов, соединенным с первым рядом ячеек битов, причем устройство STT-MRAM содержит: средство для установления низкого напряжения в линии битов выбранной ячейки бита во время операции записи; средство для установления высокого напряжения в линиях битов невыбранных ячеек битов во время операции записи; селектор линий истока, соединенный со множеством линий выбора, каждая из линий выбора соединена с одной из множества линий истока, и выполненный с возможностью активировать линию выбора, и активированная линия выбора активирует линию истока; задающий модуль линии истока, соединенный с каждой из множества линий истока и выполненный с возможностью устанавливать высокое напряжение на активированной линии истока во время операции записи. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 18 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента