М.HOSOMI et al. A NOVEL NONVOLATILE MEMORY WITH SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETIZATION SWITCHING: SPIN-RAM [онлайн] 2005, [найдено 15.09.2011], Найдено в Интернете: <URL: http://www.mendeley.com/research/a-novel-nonvolatile-memory-with-spin-torque-transfer-magnetization-switching-spinram/>, стр.1-2, рис.2а. ЕР 1321941 A1, 25.06.2003. RU 2310928 С2, 20.11.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
СЯ Вилльям Х. (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
04.04.2008 US 12/098,017
Реферат
Изобретение относится к битовым ячейкам магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM). Технический результат - уменьшение площади полупроводниковой подложки, занимаемой ячейкой STT-MRAM. Данные битовые ячейки включают линию истока, сформированную в первой плоскости, и битовую шину, сформированную во второй плоскости. Битовая шина имеет продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока, и линия истока накладывается на по меньшей мере участок битовой шины. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента