US 2006/0033133 A1, 16.02.2006. US 6621730 B1, 16.09.2003. US 6521931 B2, 18.02.2003. EP 1310962 A1, 14.05.2003. EP 1500116 B1, 30.05.2007. EP 1793433 A2, 06.06.2007. RU 2310928 C2, 20.11.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЛИ Ся (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
07.03.2008 US 12/044,596
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении плотности информации в запоминающем устройстве без увеличения площади схемы каждой из MTJ-ячеек. Способ изготовления устройства на магнитных туннельных переходах, который включает в себя формирование канавки в подложке, осаждение проводящего контактного вывода внутри канавки и осаждение структуры с магнитными туннельными переходами (MTJ) внутри канавки. MTJ-структура включает в себя фиксированный магнитный слой, имеющий фиксированную магнитную ориентацию, слой туннельного перехода и свободный магнитный слой, имеющий конфигурируемую магнитную ориентацию. Фиксированный магнитный слой соединен с проводящим контактным выводом вдоль поверхности раздела, которая идет практически по нормали к поверхности подложки. Свободный магнитный слой, который является смежным с проводящим контактным выводом, переносит магнитный домен, выполненный с возможностью сохранять цифровое значение. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 43 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента