US 6479848 B2, 12.11.2002. RU 2310928 C2, 20.11.2007. US 7009877 B1, 07.03.2006. US 6970376 В1, 29.11.2005. WO 2004/038723 А2, 06.05.2004. US 2006/0202244 A1, 14.09.2006.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЧЖУ Сяочунь (US) ГУ Шицюнь (US) ЛИ Ся (US) КАНГ Сеунг Х. (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
19.12.2007 US 11/959,797
Реферат
Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). Технический результат - повышение пределов рабочих режимов считывания и записи в устройстве STT-MRAM и снижение тока записи, требуемого для хранения значений данных в устройстве STT-MRAM. Устройство включает в себя тракт (102) считывания, соединенный со структурой МТП, и тракт (104) записи, соединенный со структурой МТП. Тракт (104) записи отделен от тракта (102) считывания. Устройство также включает в себя пару последовательно соединенных структур (106, 108) МТП, вследствие чего тракт (102) считывания содержит только одну из структур (108) МТП. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 20 ил.