Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и записи для заданного транзистора числовой шины в магниторезистивной RAM с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Для операций записи может быть подано первое напряжение так, чтобы операции записи происходили в области насыщения транзистора числовой шины. Для операций считывания может быть подано второе напряжение, меньшее, чем первое напряжение, так чтобы операции считывания происходили в линейной области транзистора числовой шины. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 15 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента