УПРАВЛЕНИЕ УРОВНЕМ СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА СЛОВАРНОЙ ШИНЫ ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ И ЗАПИСИ В МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ С ПЕРЕДАЧЕЙ СПИНОВОГО ВРАЩАТЕЛЬНОГО МОМЕНТА
US 2006/221676 A1, 05.10.2006. US 2002/0105827 A1, 08.08.2002. US 2004/0233711 A1, 25.11.2004. RU 2153706 C2, 27.07.2000.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЙООН Сей Сеунг (US) КАНГ Сеунг Х. (US) САНИ Мехди Хамиди (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
06.03.2007 US 60/893,217 29.06.2007 US 11/770,839
Реферат
Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Первое напряжение может подаваться на транзистор словарной шины для операций записи. Второе напряжение, которое меньше первого напряжения, может подаваться на транзистор словарной шины во время операций считывания. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 12 ил.