RU 2318255 C1, 27.02.2008. US 2005/0248888 A1, 10.11.2005. RU 2334306 C1, 20.09.2008. ДЕХТЯРУК Л.В. Гигантский магниторезистивный эффект в магнитоупорядоченных трехслойных пленках. В: Вюник СумДу, серия «Физика, математика, механiка», 2, 2007. RU 2139602 C1, 10.10.1999. RU 2294026 C1, 20.02.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Изобретатели:
Бугаев Александр Степанович (RU) Балабанов Дмитрий Евгеньевич (RU) Батурин Андрей Сергеевич (RU) Балтинский Валерий Александрович (RU) Котов Вячеслав Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые параметры: гигантский магниторезистивный эффект в материале при работоспособности в условиях повышенной температуры (до 50°С), а также обеспечение высокой воспроизводимости параметров в условиях серийного производства. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура содержит несколько наборов чередующихся слоев магнитомягких и магнитожестких нанокластеров, изолированных сверху и снизу сплошным диэлектрическим слоем из антиферромагнитного материала. Один набор содержит последовательно антиферромагнитный слой, слой магнитомягких нанокластеров, антиферромагнитный слой, слой магнитожестких нанокластеров, антиферромагнитный слой, причем толщина нанокластерной пленки равна 0,8-2,5 нм. Количество указанных наборов слоев равно от 2 до 5. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента