|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МНОГОСЛОЙНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ НАНОСТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2294026 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C011/15 | | Аналоги изобретения: | КАСАТКИН С.И. И ДР. Тонкопленочные многослойные магниторезистивные элементы. Тула, Изд. Гриф, 2001, с.186. RU 2081460 C1, 10.06.1997. US 6139968 А, 31.10.2000. US 4751677 А, 14.06.1988. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) | | Изобретатели: | Касаткин Сергей Иванович (RU)
Муравьев Андрей Михайлович (RU)
Пудонин Федор Алексеевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента