|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2081460 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C011/15 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4751677, кл. G 11 C 11/15, 1988. K.T.M. Ranmouthu at.al. 10 - 35 nanosecond magneto-resistive memories, IEEE Trans.Magn. 1990, V. 26, N 5, p. 2837 - 2839. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления РАН | | Изобретатели: | Васильева Н.П.
Вартанян В.И.
Касаткин С.И.
Муравьев А.М. | | Патентообладатели: | Институт проблем управления РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уменьшению технологических трудностей и уменьшению мощности потребления. Поставленная цель достигается тем, что два тонкопленочных слоя магниторезистивного материала имеют разные величины поля магнитной анизотропии, причем отношение большего поля магнитной анизотропии к меньшему не менее четырех. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента