|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ НА СПИН - ВЕНТИЛЬНОМ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОМ ЭФФЕКТЕ |  |
Номер публикации патента: 2066484 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C011/15 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4751677, кл. G 11 С 11/15, 1988. 2. A.V. Pohm, C.S.Comstock Memory implication of the spinvalue effect in soft multilayers. y. Appl.Phys. 69(8), 1991, p. 5760-5762. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления РАН | | Изобретатели: | Васильева Н.П.
Касаткин С.И.
Муравьев А.М. | | Патентообладатели: | Институт проблем управления РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Сущность: запоминающий элемент снабжен двумя низкорезистивными проводниками, например, из меди, расположенными соответственно между трехслойной полоской и первым защитным слоем и трехслойной полоской и вторым изолирующим слоем и разделенными между собой на участке, свободном от трехслойной полоски, третьим изолирующим слоем, причем тонкопленочные магниторезистивные слои имеют разные величины поля магнитной анизотропии и отношение большего поля магнитной анизотропии к меньшему составляет не менее четырех. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента