|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИНАМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2029393 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C011/40 | | Аналоги изобретения: | 1. A new dinamir RAM cell in recrystallizedpolysilicon Jnternal Electron Divices, 1982. |
| Имя заявителя: | Московский институт электронной техники | | Изобретатели: | Тадевосян С.Г.
Глазов В.М.
Королев М.А.
Ханжин А.П.
Шумский И.А. | | Патентообладатели: | Московский институт электронной техники |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых ИС в качестве ячейки памяти. Целью изобретения является повышение степени интеграции и надежности ячейки памяти. Цель достигается за счет того, что динамическая ячейка памяти содержит четвертый и пятый диэлектрические слои, второй проводящий слой из тугоплавкого металла, причем в пятом диэлектрическом слое выполнено отверстие, а контактный слой из окисла тугоплавкого металла расположен в отверстии пятого диэлектрического слоя с примыканием к полупроводниковому слою и второму проводящему слою. Данная конструкция позволяет уменьшить площадь ячейки на 40% при одновременном увеличении ее надежности за счет повышения радиационной стойкости и уменьшения токов утечки в 5 раз. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента