|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2006966 |  |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Лабудин Г.И.
Масловский В.М.
Васильев Б.И.
Гриценко В.А.
Ковтуненко С.А. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления электрически непрограммируемых МДП-элементов памяти с большим числом циклов переключения. Целью изобретения является увеличение числа циклов переключения МДП-элемента памяти. Для достижения цели по способу изготовления МДП-элемента памяти, включающему выращивание на кремниевой подложке туннельно тонкого слоя термического окисла, последующее осаждение на него слоя нитрида кремния из
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента