US 2005/0185445 A1, 25.08.2005. US 6999345 В1, 14.02.2006. US 2008/0211541 A1, 04.09.2008. US 2007/0279968 A1, 06.12.2007. US 2007/0159894 A1, 12.07.2007. US 2008/0137430 A1, 12.06.2008.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении производительности чтения усилителя считывания MRAM. Запоминающее устройство, содержащее ячейку памяти, включающую в себя основанный на сопротивлении элемент памяти, соединенный с входным транзистором, причем входной транзистор имеет первую толщину оксида так, чтобы дать возможность работы ячейки памяти при рабочем напряжении; и первый усилитель, выполненный с возможностью приложения напряжения питания к ячейке памяти, которое больше, чем предел напряжения для генерации сигнала данных на основе тока через ячейку памяти, в котором первый усилитель включает в себя фиксирующий транзистор, который имеет вторую толщину оксида, которая больше, чем первая толщина оксида, и в котором фиксирующий транзистор выполнен с возможностью предотвращать превышение предела напряжения рабочим напряжением в ячейке памяти. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента