C.H.Lee et all. Applied Physics Letters, 2005, v.86, p.152908. RU 81593 U1, 20.03.2009. RU 79708 U1, 10.01.2009. RU 78005 U1, 10.11.2008. US 6977201 B2, 20.12.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU), Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Гриценко Владимир Алексеевич (RU) Насыров Камиль Ахметович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU) Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для хранения информации при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор. Запоминающий слой выполнен в составе подслоя нитрида кремния с поверхностной областью, содержащей избыточный кремний, обуславливающий присутствие поверхностных ловушек, причем запоминающий слой выполнен толщиной, обеспечивающей доминирование в запоминающей среде указанных ловушек. В результате достигается повышение надежности хранения информации в условиях температур до 85°С. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента