|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО НЕРАЗРУШАЕМОЙ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2097842 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C007/00 | | Аналоги изобретения: | Журнал по твердотельным схемам института инженеров электриков, апрель, 1991, v. 26, N 494, фиг. 8. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Джин-ки Ким[KR]
Канг-деог Сух[KR] | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Номер конвенционной заявки: | 92-2689 | | Страна приоритета: | KR |
Реферат | |
Полупроводниковое устройство неразрушаемой памяти относится, в частности, к стираемому и электрически программируемому ПЗУ. Устройство включает сеть ячеек памяти, устроенную в виде матрицы, имеющей ячейки И-НЕ, образованную множеством последовательно соединенных ячеек памяти, каждая из которых выполнена путем наложения слоя накопления зарядов и управляющего затвора на полупроводниковую подложку и имеет возможность электрического стирания посредством взаимного обмена заряда между слоем накопления зарядов и подложкой, схему защелки данных LT, источник высоковольтного напряжения HV, схему источника тока CS, схему проверки программирования PC и схему детектирования состояния программирования PS. Кроме того, используется буфер страниц PB стираемой и электрически программируемой памяти, имеющей функцию страничного режима. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента