|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПОМИНАНИЯ ДАННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СПИН - ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2153706 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11B011/10 | | Аналоги изобретения: | DE 4008022 A, 12.09.1991. US 3094699 A, 18.06.1963. SU 1748188 A1, 15.07.1992. SU 1661833 A1, 07.07.1991. RU 2042982 C1, 27.08.1995. RU 2047916 C1, 10.11.1995. SU 1780105 A1, 07.12.1992. SU 1780104 A1, 07.12.1992. SU 1744715 A1, 30.06.1992. SU 1672524 A1, 23.08.1991. SU 1838831 A3, 30.08.1993. WO 9520814 A, 03.08.1995. EP 0186813 A, 09.07.1986. US 4534016 A, 09.08.1985. DE 3724617 A, 28.01.1988. EP 0289221 A, 02.11.1988. US 4122530 A, 24.10.1978. IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 30, no. 4, Sept. 1987, NY, US, p. 1858 "Shin-Polarized Tunneling Storage Device". |
| Имя заявителя: | ТЕРАСТОР, ИНК. (US) | | Изобретатели: | Томас Д. ХАРТ (US)
Скотт А. ХЭЛПАЙН (US) | | Патентообладатели: | ТЕРАСТОР, ИНК. (US) | | Номер конвенционной заявки: | 08/311,738 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Использование: в области хранения и извлечения данных. Устройство для запоминания данных содержит подложку, слой для запоминания данных на подложке и источник спин-поляризованных электронов. Слой для запоминания данных содержит фиксированное количество атомных слоев магнитного материала с магнитной анизотропией. Данные запоминаются в слове путем подачи спин-поляризованных электронов, имеющих магнитное поле с направлением поляризации, соответствующим одному из двух значений данных, причем электрон имеет спектральную характеристику неспаренных электронов в слое для запоминания данных, что вызывает возникновение магнитного момента материала. Данные считываются из слоя запоминания данных путем направления спин-поляризованного электрона с второй длиной волны на магнитное поле данных и определения отклонения или притяжения спин-поляризованного электрона магнитным полем данных. В альтернативном варианте магнитная среда создает вторичный электрон, характеристики которого используются для считывания данных. Такое техническое решение позволяет создавать запоминающие устройства большой емкости с возможностью быстрого доступа к данным. 4 с. и 13 з.п.ф-лы, 13 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента