Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МЕТОДЫ НЕРАЗРУШАЕМОГО СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ С ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Номер публикации патента: 2383945

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008120047/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G11B009/02   G11C011/22   G11C007/00    
Аналоги изобретения: US 6477132 B1, 05.11.2002. RU 2250518 C1, 20.04.2005. US 5592409 A, 07.01.1997. SU 1387043 A1, 07.04.1988. 

Имя заявителя: Кригер Юрий Генрихович (RU) 
Изобретатели: Кригер Юрий Генрихович (RU) 
Патентообладатели: Кригер Юрий Генрихович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах компьютеров различного назначения, в создании видеоаудиоаппаратуры нового поколения, в разработке систем ассоциативных запоминающих устройств, создании банков данных с прямым доступом. Техническим результатом является повышение скорости обмена информацией. Способ неразрушаемого считывания информации с ферроэлектрической ячейки памяти, снабженной электродами, заключается в выполнении следующих операций: подают считывающее электрическое напряжение на электроды для генерации упругой деформации ферроэлектрической ячейкой памяти и регистрирует данную упругую деформацию полевым транзистором с плавающим затвором и/или проводящим каналом, выполненных из материала с пьезоэлектрическими свойствами, и по величине тока, протекающего через транзистор, определяют степень и характер поляризации ферроэлектрической ячейки памяти. Ферроэлектрический элемент памяти содержит полевой транзистор, пьезоэлемент, являющийся ячейкой памяти. Плавающий затвор выполнен на основе пьезоэлектрического материала. Ячейка памяти имеет трехслойную структуру, состоящую из двух электродов, между которыми расположен пьезоэлектрик, выполненный из ферроэлектрического материала и расположенный поверх плавающего затвора транзистора. 6 н. и 14 з.п. ф-лы, 22 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"