| На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину» 
    | СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В СТРУКТУРЕ С ПЛЕНКАМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ НА КРЕМНИЕВОЙ ОСНОВЕ |  | 
 | Номер публикации патента: 2315368 |  | 
 
| Редакция МПК: | 7 |  | Основные коды МПК: | G11B009/00   G11B009/02 |  | Аналоги изобретения: | Мясников Э.Н., Толстоусов С.В., Фроленков К.Ю. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Ba |  
 
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ) (RU) |  | Изобретатели: | Фроленков Константин Юрьевич (RU) Преснецов Николай Витальевич (RU)
 Фроленкова Лариса Юрьевна (RU)
 Преснецова Виктория Юрьевна (RU)
 |  | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ) (RU) |  
 | Реферат |  | 
 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах персональных ЭВМ. Запись информации осуществляют путем сканирования над поверхностью регистрирующего слоя носителя информации вольфрамовым зондом, на который подают импульсы напряжения в соответствии с заданным кодом. 
 |