US 2002024062 A1, 28.02.2002. US 2005286332 A1, 29.12.2005. US 6535752 B1, 18.03.2003. US 2004210803 A1, 21.10.2004. RU 2297032 C2, 10.04.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
АБУ-РАХМА Мохамед Х. (US) ЙООН Сей Сеунг (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
17.12.2007 US 61/014,257 04.12.2008 US 12/328,156
Реферат
Изобретение относится к компьютерной технике и может быть использовано для адаптации ширин импульсов словарной шины в запоминающих системах. Технический результат заключается в увеличении характеристик производительности, потребляемой мощности и стабильности работы запоминающих ячеек. Раскрыты системы, схемы и способы для адаптации ширин импульсов словарной шины (WL), используемых в запоминающих системах. Один вариант осуществления изобретения направлен на устройство, содержащее запоминающую систему. Устройство содержит: запоминающее устройство, работающее согласно импульсу словарной шины (WL) с ассоциированной шириной импульса WL; модуль встроенного самотестирования (BIST), который взаимодействует с запоминающим устройством, причем BIST-модуль выполнен с возможностью проводить самотестирование внутренней функциональности запоминающего устройства и предоставлять сигнал, указывающий то, прошло или не прошло запоминающее устройство самотестирование; схему адаптивного управления WL, которая взаимодействует с BIST-модулем и запоминающим устройством, причем схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью регулировать ширину импульса WL запоминающего устройства на основе сигнала, предоставленного посредством BIST-модуля. 4 н. и 34 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента