Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

Номер публикации патента: 2434308

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010126072/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G09F009/30    
Аналоги изобретения: JP 2000002889 А, 07.01.2000. JP 6235938 А, 23.08.1994. JP 9304790 А, 28.11.1997. JP 2003075871 А, 12.03.2003. US 2005139922 A1, 30.06.2005. RU 2069417 C1, 20.11.1996. 

Имя заявителя: ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP) 
Изобретатели: УЕДА Нобуйоси (JP)
ИИДА Хироюки (JP)
ЯМАДА Такахару (JP)
ИТО Риоки (JP)
ХОРИУТИ Сатоси (JP) 
Патентообладатели: ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP) 
Приоритетные данные: 11.04.2008 JP 2008-103531 

Реферат


Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения и направлено на подавление изменений проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока. Подложка активной матрицы содержит: множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы; множество истоковых шин, простирающихся параллельно друг другу между пиксельными областями; множество затворных шин, простирающихся параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины; множество вспомогательных емкостных шин, простирающихся между затворными шинами; множество тонкопленочных транзисторов, имеющих затворный электрод, полупроводниковый слой, истоковый электрод и электрод стока; и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов. В каждом из вспомогательных емкостных электродов пиксельных областей боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 19 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"