

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ЗАЩИЩЕННЫЙ И/ИЛИ ЦЕННЫЙ ДОКУМЕНТ С СИСТЕМОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНТАКТА II ТИПА

Номер публикации патента: 2430837

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2009112730/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	B42D015/00 G07D007/12
Аналоги изобретения:	WO 2006029857 А2, 23.03.2006. EP 1134694 A1, 19.09.2001. US 5841151 A, 24.11.1998. WO 2004096943 A1, 11.11.2004.

Имя заявителя:	БУНДЕСДРУККЕРАЙ ГМБХ (DE)
Изобретатели:	ПФЛУГХЁФФТ Мальте (DE)
Патентообладатели:	БУНДЕСДРУККЕРАЙ ГМБХ (DE)
Приоритетные данные:	08.09.2006 DE 102006043119.7

Реферат

Изобретение касается защищенного и/или ценного документа, содержащего защитный признак с полупроводниковым участком. Документ содержит по меньшей мере один первый полупроводниковый слой и один второй полупроводниковый слой, которые контактируют друг с другом и образуют систему полупроводникового контакта II типа. Предложенный документ обеспечивает повышенную защиту от подделки, простую и надежную возможность проверки на подлинность при простоте его изготовления. 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 5 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"