

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

КАРТА СО ВСТРОЕННЫМ КРИСТАЛЛОМ ИС И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КРИСТАЛЛ ИС ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В КАРТЕ

Номер публикации патента: 2190879

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	99104770/09

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	G06K019/077
Аналоги изобретения:	EP 0207852 A, 07.01.1987. WO 92/08209 A, 14.05.1992. EP 0716394 A, 12.06.1996. FR 2695234 A, 04.03.1994. SU 1836700 A3, 23.08.1994. RU 2011225 C1, 15.04.1994.

Имя заявителя:	СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE)
Изобретатели:	ХУБЕР Михель (DE) ШТАМПКА Петер (DE) УДО Детлеф (DE)
Патентообладатели:	СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE)

Реферат

Изобретение относится к карте со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и множеством изготовленных из электрически проводящего материала контактных площадок, которые электрически соединены с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"