|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УДАЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ |  |
Номер публикации патента: 2318267 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/306 G03F007/26 | | Аналоги изобретения: | KR 20040004980 A, 16.01.2004. RU 2047931 C1, 10.11.1995. SU 865886 A, 25.09.1981. SU 439035 A, 29.01.1975. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Алиев Шамиль Джамалутдинович (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. Сущность изобретения: в способе удаления резистивной маски, включающем обработку поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций для удаления фоторезиста с поверхности, обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H2SO4) и перекиси водород
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента