Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ МОДИФИЦИРОВАННОГО ПРИПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ В ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКЕ

Номер публикации патента: 2148853

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98115795 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G03F007/26    
Аналоги изобретения: Валиев К.А. и др. Фотолитографические процессы с использованием газофазной химической модификации фоторезистов. Сб.Проблемы микроэлектронной технологии. - М.: Наука, 1992, с.100. EP 0451329 A2, 16.10.1991. US 5409538 A, 25.04.1995. EP 0502533 A2, 09.09.1992. Боков Ю.С. и др. Исследование механизма локального химического модифицирования пленок фоторезистов на примере силилирования гексаметилдисилазанов. Электронная техника, сер.3, Микроэлектроника, 1991. Вып.1(140), с.17-25. 

Имя заявителя: Воронежский государственный университет 
Изобретатели: Урывский Ю.И.
Чуриков А.А. 
Патентообладатели: Воронежский государственный университет 

Реферат


Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках. Сущность: предложенный способ определения глубины залегания модифицированного посредством процесса силилирования приповерхностного слоя осуществляется путем измерения концентрационно-зависимого параметра, по изменению которого судят об изменении глубины залегания слоя. При этом в качестве концентрационно-зависимого параметра выбирают показатель преломления облученного светом приповерхностного модифицированного слоя полимерной пленки. После чего определяют глубину залегания модифицированного слоя по формуле dм = d(nпл. - nэф.)/(nпл. - nм), где d - исходная толщина полимерной пленки; dм - глубина залегания модифицированного приповерхностного слоя; nпл - показатель преломления пленки после ее формирования; nм - показатель преломления полностью промодифицированной пленки; nэф - изменяющееся в процессе модифицирования и контролируемое эффективное значение показателя преломления пленки, и при достижении заданной величины dм прекращают процесс. Технический результат изобретения заключается в повышении качества процесса модифицирования полимерных пленок, в частности фоторезистных. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"