|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ |  |
Номер публикации патента: 2100835 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G03F007/039 G03C001/56 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент, 3201.239, кл. 96 - 36, 1965. 2. US, патент, 5358823, кл. G 03 F 7/023, 1994. 3. SU, авторское свидетельство, 1825426, кл. G 03 F 7/023, 1993. 4. Введение в фотолитографию /Под ред. В.П.Лаврищева. - М.: Энергия, 1977, с. 29 - 32. 4. Mend.Communication. - 1991, N 1, p. 34 - 36. 6. Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. - 1992, N 3, с. 218. |
| Имя заявителя: | Институт электрохимии им.А.Н.Фрумкина РАН | | Изобретатели: | Ванников А.В.
Гришина А.Д.
Кольцов Ю.И.
Кудрявцев Е.Н.
Тедорадзе М.Г.
Хазова Г.О. | | Патентообладатели: | Институт электрохимии им.А.Н.Фрумкина РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. Предложен позитивный фоторезист, содержащий, мас.%: крезолформальдегидную новолачную смолу 60 - 66,5; диэфир 1,2 - нафтохинодиазид-(2), 5 - сульфокислоты и 2,4 - диокисибензофенона 30 - 33; органическое соединение, обладающее электродонорными свойствами, выбранное из ряда: п-диметиламинобензальдегид, п-диэтиламинобензальдегид, п-фенилендиамин, нитрозодиэтиланилин, о-фенилендиамин, ферроцен 2 - 9 и органический растворитель остальное. Фоторезист обладает высокой чувствительностью к изучению в ближнем ультрафиолете, высокой контрастностью и резестентностью в кислых средах.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента