На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ

Номер публикации патента: 1364051

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4043028		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение касается позитивных фоторезисторов (ФР), в частности на основе о-нафтохинондиазидов, применяемых в производстве радиоэлектронных и микроэлектронных изделий и сверхбольших схем методом контактной и фотопроекционной фотопечати. Цель изобретения - снижение микронеровности пленки ФР и повышение устойчивости в проявителе и травителе, а также разрешающей способности операции задубливания. Позитивный ФР включает в состав, мас.%: эфир нафтохинондиазидсульфокислот и наволачной фенолформальдегидной смолы (1фа) 3,57-12, 86; наволачную фенолформальдегидную смолу (2фа) 6,07-17,14; резольную фенолформальдегидную смолу (Зфа), модифицированную канифолью 1,07-3,18; бутилированньй стиромаль или поликарбонат (пластификатор) 0,15-0,25; н-бутанол (растворитель) 8-12; диоксан (растворитель) - остальное). (1фа) имеет структурную формулу

где n = 2-6; X=H, или нафтохинондиазидная группа
мол. маc. 800-1800, содержание нафтохинондиазидных групп 35-42 мас.%, содержание брома 17-21%; 2фа имеет структурную формулу

где п= η и определяется по динамической вязкости 50%-ного спиртового раствора (h= 150-200); т. каплепадения 120-140^oС; массовая доля фенолов не более 2%; Зфа имеет структурою формулу

(марка СФ-381), т. каплепадения 80 - 95°С; время желатинизации при 150^oС-110-150 с. Бутилированный стиромаль имеет формулу -CH(C₆H₅)-CH₂-CHK-CHM-, где К = С(O)-ОН; М =С(O)ОС₄,Н₉; мол. мас. 25-30 тыс; n = 90-110 мол.%. Поликарбонат имеет формулу

где n= 10-20 тыс. Массовая доля сухих компонентов в ФР составляет 15, 12-29, 19%, содержание нафтохинондиазидных групп в сухих компонентах 10-18%, соотношение Зфа и 2фа 1:9-5. Новый ФР имеет максимальную разрешающую способность с применением высококонтрастных проявителей 0,7 мкм. Маскирующие свойства пленки ФР на уровне собственной пористости < 0,05 дефектов/см ² (микронеровность пленки не более 420 ). Кроме того, ФР улучшает адгезию и не требует дополнительных адгезивов, причем допускается двукратное перепроявление ФР без отклонения линейных размеров и переэкспонирование в 1,5-2 раза без отрицательных отклонений размеров темных элементов фотокопии. Наряду с этим исключаются дефекты ( нет налипания ФР на шаблон и растрескивания пленки ФР при контакте и работе с пластинами), обеспечивается чистота проявленного поля и хорошее маскирование при плазменном травлении любых материалов, а также чистота подложки и быстрое удаление ФР, задубленного при 160^oС. ФР имеет широкий диапазон получаемой толщины 0,8-2,5 мкм. 3 табл.

Вернуться к списку