Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


АКТИВНЫЕ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТЕРЕООЧКИ

Номер публикации патента: 2456649

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010148477/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: G02F001/13    
Аналоги изобретения: US 2010/0177254 A1, 15.07.2010. EP 0892563 A2, 20.01.1999. JP 62196618 A, 31.08.1987. RU 2189619 C1, 20.09.2001. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "МЕГАВИЖН" (RU) 
Изобретатели: Компанец Игорь Николаевич (RU)
Андреев Александр Львович (RU)
Ежов Василий Александрович (RU)
Соболев Александр Георгиевич (RU) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "МЕГАВИЖН" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области оптоэлектроники. Активные жидкокристаллические стереоочки, содержащие приемник синхросигнала, автономный источник питания, электронный драйвер и два жидкокристаллических затвора. Жидкий кристалл выполнен сегнетоэлектрическим с шагом p0 геликоида. Толщина d слоя сегнетоэлектрического жидкого кристалла и граничные условия для него выбраны в соответствии с условием Kq2~WQ/d, где K - модуль упругости деформации геликоида сегнетоэлектрического жидкого кристалла по азимутальному углу , a q - волновой вектор деформации геликоида сегнетоэлектрического жидкого кристалла. Автономный источник питания выполнен в виде низковольтного элемента питания, выходы которого соединены непосредственно с выводами питания электронного драйвера, электронный драйвер выполнен с предельной частотой переключения, соответствующей времени реакции сегнетоэлектрического затвора на напряжение низковольтного элемента питания. Предложен также интервал для выбора толщины слоя СЖК и условия на выполнение диэлектрического покрытия и низковольтного элемента питания. 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"