US 5193023 А, 09.03.1993. RU 2044337 C1, 20.09.1995. KR 100261230 B1, 01.07.2000. JP 2008003566 A, 10.01.2008. JP 2006234939 A, 07.09.2006.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU)
Изобретатели:
Шур Владимир Яковлевич (RU) Батурин Иван Сергеевич (RU) Негашев Станислав Александрович (RU) Кузнецов Дмитрий Константинович (RU) Лобов Алексей Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU)
Реферат
Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в виде структуры, состоящей из полос определенной конфигурации (полосовой электрод). Через полосовой электрод пропускают, по меньшей мере, один импульс электрического тока. Высокое напряжение прикладывают между электродами одновременно или после воздействия импульса электрического тока. При этом выбирают такие параметры импульса электрического тока, которые не приводят к разрушению полосового электрода. На поверхность пластины с полосовым электродом можно многократно воздействовать импульсами электрического тока. Технический результат: формирование сквозных доменных структур в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика в точном соответствии с рисунком полосового электрода. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.