|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2062495 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G02F001/015 | | Аналоги изобретения: | 1. Валах М.Я. Модуляция добротности резонатора ОКГ за счет изменения плазменного отражения полупроводников в условиях разогрева носителей тока. ФТП, 1969, N 3, с. 426-428. 2. Birch J.R et al. J. Phys. D:Appl. Phys., 1973, т.5, N 3, р. L 18 - L 21. 3. Авторское свидетельство СССР N 986195, кл. G 02 F 1/015, 1982. 4. Брыскин В.В. и др. Поверхностные оптические колебания в пластинах ионных кристаллов. ФТТ , т.14, N 12, с. 543-552. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников АН Украины (UA) | | Изобретатели: | Буршта Игорь Иосифович[UA]
Венгер Евгений Федорович[UA]
Липтуга Анатолий Иванович[UA]
Мельничук Александр Владимирович[UA]
Пасечник Юрий Архипович[UA] | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников АН Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: в системах оптической обработки информации, а также при оптической связи. Сущность изобретения: моделируемым магнитным излучением облучают поверхность полупроводниковой пластинки в условиях возбуждения этим излучением на поверхности пластинки поверхностных поляритонов, после чего, изменяя концентрацию свободных носителей заряда в приповерхностной области пластины, осуществляют модуляцию электромагнитного излучения. Способ реализован в устройстве, содержащем пластину из полупроводника с собственной проводимостью, плоскости которой имеют разные скорости поверхностной рекомбинации, а толщина сравнима с диффузионной длиной носителей заряда, помещенной в скрещенное магнитное и электрическое поля, перед поверхностью которой с меньшей скоростью рекомбинации расположена призма нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) на расстоянии меньше  , где λ - длина волны модулируемого излучения, n - показатель преломления призмы, v - угол падения модулируемого излучения в призме НПВО. 2 с.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента