На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МАТРИЦА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПРИВОДНЫХ ЗЕРКАЛ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | |
Номер публикации патента: 2143715 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G02B005/09 H04N005/74 | Аналоги изобретения: | US 5247222 A, 21.09.93. WO 91/09503 A1, 27.06.91. US 5172262 A, 15.12.92. US 3622792 A, 23.11.71. Оптическая связь/ Под ред. И.И.Теумина. - М.: Радио и связь, 1984, с.71-74, 191-193. |
Имя заявителя: | Дэу Электроникс Ко., Лтд. (KR) | Изобретатели: | Енг Ки Мин (KR) | Патентообладатели: | Дэу Электроникс Ко., Лтд. (KR) | Номер конвенционной заявки: | 1994/29763 | Страна приоритета: | KR |
Реферат | |
Изобретение относится к оптической проекционной системе. Технический результат заключается в разработке матрицы тонкопленочных активных зеркал для использования в оптической проекционной системе, которая не требует высокотемпературной обработки в процессе ее изготовления. Матрица тонкопленочных приводных зеркал размерностью М · N включает в себя активную матрицу, подложку с матрицей соединительных выводов размерностью М · N, матрицу транзисторов размерностью М · N и матрицу приводных структур размерностью М · N. Приводная структура является биморфной структурой, включает в себя второй тонкопленочный электрод, нижний элемент с возможностью перемещения электрическим способом, промежуточный тонкопленочный электрод, верхний элемент с возможностью перемещения электрическим способом и первый тонкопленочный электрод. Описан способ для ее изготовления, по которому выполняют активную матрицу, формируют тонкопленочный защитный слой поверху активной матрицы, выборочно удаляют тонкопленочный защитный слой, формируют на нем второй тонкопленочный электродный слой, выборочно удаляют второй тонкопленочный электродный слой, осаждают нижний слой с возможностью перемещения электрическим способом, формируют промежуточный электродный слой, осаждают верхний слой с возможностью перемещения электрическим способом, формируют первый тонкопленочный электродный слой, формируя таким образом многослойную структуру, выполняют образец многослойной структуры в матрице полузаконченных приводных структур размерностью М · N и удаляют тонкопленочный защитный слой. 2 c. и 9 з.п.ф-лы, 3 ил.
|