Y. Homma et al. PHYS. REV. В., 55, 16, 1997. US 6806199 В2, 19.10.2004. US 6805807 В2, 19.10.2004. US 6455399 В2, 24.09.2002. US 4906594 A, 06.03.1990. US 2009/0186482 A1, 23.07.2009. US 2004/0060900 A1, 01.04.2004. JP 0002133121 A, 22.05.1990. RU 2006116830 A, 10.12.2007.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Ситников Сергей Васильевич (RU) Косолобов Сергей Сергеевич (RU) Щеглов Дмитрий Владимирович (RU) Латышев Александр Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микро- и оптоэлектроники. Сущность изобретения: в способе формирования плоской гладкой поверхности твердотельного материала на подложке твердотельного материала формируют лунку, с участками поверхности, отклоненными в диаметрально противоположных направлениях, обеспечивающими противоположную направленность фронтов атомных ступеней. Проводят термоэлектрический отжиг, пропуская электрический ток величиной, вызывающей резистивный нагрев материала подложки до температуры активируемой сублимации атомов верхнего атомного слоя с передвижением по поверхности моноатомных ступеней. При отжиге очищают рабочую поверхность от естественного окисла, загрязнений. Затем проводят основной этап или основной и дополнительный этапы термоэлектрического отжига в вакууме с уровнем 10-8 Па. Ток пропускают параллельно рабочей поверхности подложки, в течение промежутка времени и при температурном режиме, формирующими по периферии внутренней части лунки скопление моноатомных ступеней с высокой плотностью, с появлением равномерно распределенных по периферии внутренней части лунки одиночных концентрических моноатомных ступеней, разделенных сингулярной террасой. Подачу электрического тока прекращают и снижают температуру подложки. В результате обеспечивается получение атомно-гладких поверхностей, снижение шероховатости до 0,4 ангстрема, управление размером плоской гладкой поверхности, ее увеличение в поперечнике до значения от 100 до 300 мкм. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента