

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ С КОНТРОЛИРУЕМОЙ НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2383040

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008140609/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G02B001/04
Аналоги изобретения:	JP 2005328040 А, 24.11.2005. WO 2007098838 А1, 07.09.2007. US 6999669 В2, 14.02.2006. RU 2006133738 А, 27.03.2008.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:	Климонский Сергей Олегович (RU) Синицкий Александр Сергеевич (RU) Бондаренко Евгений Алексеевич (RU) Михнев Леонид Васильевич (RU) Гусев Александр Сергеевич (RU) Каргин Николай Иванович (RU) Бондаренко Сергей Алексеевич (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для получения люминесцентных фотонно-кристаллических средств отображения информации с контролируемой направленностью излучения. Способ получения люминесцентных фотонных кристаллов с контролируемой направленностью излучения предусматривает использование в качестве матрицы фотонного кристалла упорядоченной структуры на основе монодисперсных микросфер полистирола, упрочненной при 100°С. В качестве люминесцирующего вещества используются слои органических комплексов редкоземельных элементов HEuEDTA, Tb(pyca)₃ с узкой менее 20 нм полушириной линий излучения, не подверженные концентрационному тушению. Способ обеспечивает получение люминесцентных фотонных кристаллов с контролируемой направленностью излучения, пригодных для производства оптоэлектронных приборов с направленным излучением на длинах волн

=620 и 580 нм в интервале углов 0-30°. 5 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"