|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КРАТКОСРОЧНОГО ПРОГНОЗА МОЩНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ВСПЫШЕК |  |
Номер публикации патента: 2114449 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01W001/10 | | Аналоги изобретения: | Tanaka H., Enome S. The mecrowave structure of coronal condensation and i ts relation to proton flares. Solar Phys. 1975, vol. 40, p. 123. |
| Имя заявителя: | Институт солнечно-земной физики СО РАН | | Изобретатели: | Максимов В.П.
Бакунина И.А.
Нефедьев В.П.
Смольков Г.Я. | | Патентообладатели: | Институт солнечно-земной физики СО РАН |
Реферат | |
Способ характеризуется тем, что с пространственным разрешением не хуже 30" регистрируют полное и циркулярно поляризованное микроволновое излучение активной области и определяют вероятность возникновения мощной солнечной вспышки с заблаговременностью одни сутки. Особенность способа состоит в том, что по оптическим данным измеряют гелиошироту v и гелиодолготу λ активной области, ее протяженность 1, угол наклона оси группы пятен относительно солнечного экватора &Dgr;, величину и полярность магнитного поля в пятнах и определяют магнитный класс активной области. Используя эти данные, разбивают видимую поверхность Солнца на долготные зоны, для чего вычисляют положения границ зон с известным нормальным, не вспышечно-опасным распределением поляризации в каждой отдельной зоне. По отклонению наблюдаемого распределения поляризации от нормального в той зоне, в которой находится исследуемая активная область, определяют вспышечную опасность активной области. Для лучшего учета эффектов эволюции активной области границы долготных зон рассчитывают ежедневно. Благодаря описанным особенностям способа, повышается достоверность краткосрочного прогноза мощных солнечных вспышек. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента