Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОИСКА, ОБНАРУЖЕНИЯ И РАСПОЗНАВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

Номер публикации патента: 2432583

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010114650/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01S013/56    
Аналоги изобретения: RU 2257012 C1, 20.07.2005. RU 2292652 С1, 27.01.2007. RU 2253878 C1, 10.06.2005. RU 2205419 C2, 27.06.2003. US 2010001899 A1, 07.01.2010. WO 0239140 A3, 01.06.2003. US 4458246 A, 03.07.1984. US 5777572 A, 07.07.1998. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU) 
Изобретатели: Горовой Александр Николаевич (RU)
Лукашук Александр Михайлович (RU)
Мирошниченко Анатолий Яковлевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU) 

Реферат


Изобретение может быть использовано для обнаружения электронных устройств с полупроводниковыми элементами, несанкционированно установленными на контролируемом объекте и, в частности, в нелинейной радиолокации для дистанционного обнаружения приемо-передающих радиоустройств, находящихся в пассивном режиме при отключенном электропитании. Способ включает облучение обследуемого объекта импульсным электромагнитным полем монохроматического зондирующего сигнала с изменяющейся поочередно в пределах трех диапазонов частот частотой и одинаковой мощностью излучения зондирующих сигналов, синхронно с облучением прием в каждом диапазоне частот отраженных сигналов вторых гармоник, выделение максимального уровня второй гармоники, установление по нему соответствующей частоты монохроматического зондирующего сигнала импульсного излучения, по которой судят о наличии на объекте устройства с полупроводниковыми элементами и его рабочем диапазоне частот, определение по направлению ориентации электрической оси антенны зондирующего сигнала зоны местонахождения устройства. Зону местонахождения обнаруженного устройства повторно облучают в рабочем диапазоне частот, установленном по максимальному уровню принимаемых сигналов второй гармоники монохроматического зондирующего сигнала импульсного излучения, электромагнитным полем непрерывного излучения монохроматического зондирующего сигнала, при котором изменяют мощность излучения зондирующего сигнала. Осуществляют прием отраженных сигналов второй гармоники непрерывного излучения монохроматического зондирующего сигнала, фиксируют минимальное значение мощности излучения зондирующего сигнала, при котором уровень принимаемого сигнала второй гармоники зондирующего сигнала максимален. По частоте излучения минимальной мощности подтверждают диапазон рабочих частот обнаруженного устройства и достоверно устанавливают его тип. В заявленном способе используют антенны осевого излучения для формирования в азимутальных плоскостях диаграмм направленности секторного типа. Облучение обследуемого объекта полем импульсного и непрерывного излучения монохроматических зондирующих сигналов и прием отраженных сигналов вторых гармоник осуществляют на взаимно ортогональных линейных поляризациях электромагнитных волн, а также электромагнитной волной с круговой поляризацией поля. Достигаемым техническим результатом является повышение надежности обнаружения и достоверности распознавания радиоэлектронных устройств с полупроводниковыми элементами, а также увеличение дальности обнаружения. 2 з.п.ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"