S.B.Orhnskii, J.Schmidt, P.G.Baranov et al. - Phys. Rev. B, v.77, pp.115334-1-115334-6, 2008. H.J.van der Meer, J.A.J.M. Disselhorst, J.Allgeier, J.Schmidt and W.Th.Wenckebach, Meas. Sci. Technol., 1, pp.396-400 (1990); J.A.J.M.Disselhorst, H.J.van der Meer, O.GPoluektov, and J.Schmidt, J.Magn Reson, Ser. A 115, pp.183-188, 1995. Баранов П.Г.,Романов Н.Г., Преображенский В.Л., Храмцов В.А. - Конфайнмент электронно-дырочной рекомбинации в самоорганизованных нанокристаллах AgBr, встроенных в кристаллическую матрицу KBr. Письма в ЖЭТФ, т.76, 7, с.542-546, 2002. BRUKER ELEXSIS Electron Paramagnetic resonance E 600/680 Users Manual, Version 1.26, Written by G.G.Maresch 02.11.2004, Bruker Analytic GmbH, Rheinstetten, Germany. WO 2008091365 A2, 31.07.2008.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Бабунц Роман Андреевич (RU) Бадалян Андрей Гагикович (RU) Баранов Павел Георгиевич (RU) Романов Николай Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при исследованиях наноструктур методом ЭПР. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение чувствительности регистрации спектров ЭПР мелких доноров в полупроводниковых нанокристаллах. Способ определения размеров полупроводниковых наночастиц включает предварительное построение градуировочной кривой зависимости величины g фактора сигнала ЭПР мелких доноров от размера наночастиц, размер которых измеряют. Образец полупроводниковых наночастиц помещают в криогенную систему и охлаждают до температуры 1,5-4,0 К. На охлажденные полупроводниковые наночастицы воздействуют микроволновым полем частотой , равной 90-100 ГГц, создаваемым генератором сверхвысокочастотного диапазона и подаваемым на первое оптическое окно через волновод и рупор. На образец наночастиц воздействуют постоянным магнитным полем В, создаваемым сверхпроводящим магнитом, соответствующим ЭПР мелких доноров на частоте и определяемым из соотношения: h=gB, где h - постоянная Планка, - магнетон Бора. Образец также облучают импульсным ультрафиолетовым излучением через систему зеркал с энергией, превышающей величину запрещенной зоны полупроводниковых наночастиц образца. После прекращения облучения наночастиц образца ультрафиолетовым излучением осуществляют регистрацию сигнала ЭПР мелких доноров. Сигнал ЭПР мелких доноров регистрирует фотоприемное устройство (ФПУ) по изменению интенсивности послесвечения полупроводниковых наночастиц в условиях ЭПР мелких доноров. Сигнал с ФПУ подают на блок регистрации сигнала. Измеряют g фактор мелких доноров и определяют размер наночастиц по упомянутой градуировочной кривой. Сигнал регистрируют по оптическому каналу. 2 н. и 2 з.п., 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента