|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ЛОКАЛЬНОГО ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ |  |
Номер публикации патента: 2165613 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N024/00 G01R033/44 | | Аналоги изобретения: | Гречишкин В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах. - М.: Наука, 1973, с.263. RU 2151387 C1, 20.06.2000. GB 2176012 A, 08.06.1987. US 4748409 A, 31.05.1988. |
| Имя заявителя: | Пермский государственный университет | | Изобретатели: | Ким А.С. | | Патентообладатели: | Пермский государственный университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области радиоспектроскопии и может быть использовано при анализе химических соединений. Способ включает воздействие на образец двумя РЧ импульсами с временным интервалом τ между ними, с частотой заполнения, равной частоте возбуждаемого перехода, с периодом повторения Т0 импульсной последовательности, регистрацию сигналов эха, по которым измеряют ширину линии ЯКР и определяют величину локального поля. Период повторения Т0 уменьшают до тех пор, пока не наблюдают максимальный сигнал дополнительного эха в момент времени 3τ, по формам основного и дополнительного эха разделяют и определяют величины магнитных и электрических полей. Техническим результатом изобретения является возможность разделения и определения вкладов в ширину линии ЯКР, обусловленных электрическими и магнитными взаимодействиями. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента