Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Номер публикации патента: 2084912

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93003023 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R033/06    
Аналоги изобретения: Hill E.W., Britwistle J.K. Spattered permanent magnet arrays for MR sensor bias // IEEE Tr.Magn. - 1987, v. 23, N 5, p. 2419 - 2421. 

Имя заявителя: Научно-производственное предприятие "МАГТИП" 
Изобретатели: Антропов О.В.
Васьковский В.О.
Гогин В.П.
Мухаметов В.Г.
Савин П.А.
Сорокин А.Н.
Станина Е.К. 
Патентообладатели: Научно-производственное предприятие "МАГТИП" 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой измерительный преобразователь, который может быть использован в устройстве для измерения магнитного поля, электрического тока, линейных и угловых перемещений. Техническим результатом является уменьшение погрешности преобразования за счет термокомпенсации магниторезистора. Он содержит магниторезистивный элемент, выполненный из магнитной пленки по мостовой схеме и постоянный магнит. Магнит создает изменяющиеся с температурой смещающее поле, величина которого и температурный коэффициент остаточной индукции магнита связаны определенным соотношением, включающим температурный коэффициент чувствительности магниторезистора при постоянном смещающем поле и коэффициент зависимости чувствительности от смещающего поля при фиксированной температуре. Наличие такого магнита при использовании пермаллоевого магниторезистивного элемента позволяет уменьшить погрешность преобразования за счет термокомпенсации чувствительности в 10 раз до величины 0,01%/град. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"