RU 2415493 С1, 27.03.2011. RU 2388110 С1, 27.04.2010. RU 2005308 С1, 30.12.1993. US 6211689 В1, 03.04.2001. US 6275059 В1, 14.08.2001. US 7358517 В2, 15.04.2008. ЕР 1085333 А1, 21.03.2001.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Изобретатели:
Акимов Владимир Михайлович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Климанов Евгений Алексеевич (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU) Микертумянц Артем Рубенович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и контактное окно к подложке. Наносят слой или слои металла. Проводят фотолитографическую обработку по слою или слоям металла для создания металлической площадки. Проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии. Контролируют функционирование годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток. Удаляют слой (слои) металла вне контактных окон в органических растворителях методом «взрыва» с оставлением адгезионных слоев в области контактных окон. Формируют индиевые микроконтакты. Режут пластины на кристаллы. Предложен простой и экономичный способ тестирования кремниевых МОП мультиплексоров в процессе их изготовления на предмет обнаружения электрических дефектов. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента