Spratt J.P. et al. Proposed Test Strategy For Radiation Hardened Custom LSI/VLSI // IEEE Transactions on Nuclear Science, 1981, V.NS-28, 6, p.427, 428. RU 2364880 C1, 20.08.2009. RU 2036480 C1, 27.05.1995. US 6476597 B1, 05.11.2002.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Изобретатели:
Качемцев Александр Николаевич (RU) Киселев Владимир Константинович (RU) Скупов Владимир Дмитриевич (RU) Торохов Сергей Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники. Сущность изобретения: в способе отбора стойких к воздействию полной поглощенной дозы ионизирующего излучения транзисторных структур технологии КМОП/КНД для каждого технологического решения формируют на чипе наряду с основной схемой БИС дополнительную пару n- и р-канальных транзисторных структур, изготовленных по той же технологии, для ограниченной выборки образцов БИС снимают дискретно с шагом ~100 крад(Si) в диапазоне TID от нуля до уровня требований по стойкости БИС к воздействию максимальной TID плюс 20% зависимости ID=f(VGS), получают по ним данные по изменению сдвига порогового напряжения VTH от величины TID с мощностью дозы не менее ~1000 рад(Si)·c-1 с учетом технологического разброса и возможных границ изменения зависимости VTH(TID), производят аппроксимацию нижних и верхних допустимых границ зависимостей VTH(TID) транзисторов обоего типа проводимости, определяют для каждого фиксированного значения TID разброс измеренных значений , определяют значения VTH() в отсутствие облучения, для минимума на графике зависимости для n-канального транзистора и для практически достигнутого максимального уровня облучения, определяют для тех же условий VTH() для всех возможных комбинаций различий «VTH (TID)-Up» и «VTH(TID)-Down» транзисторов n-МОП и р-МОП, VTH() при трех фиксированных значениях величины TID БИС, ранжируют БИС на четыре градации наблюдаемых величин VTH(): «высшую» («1») - максимальное изменение; «значимую» («2») - сильное изменение; «среднюю» «3» - умеренные изменения; «малую» («4») - слабые изменения, которые по средней величине соотносятся как «1»%:«2»%:«3»%:«4»%, где за 100% принята «малая» градация, производят измерения VTH() у необлученных промышленных образцов БИС и по результатам ранжирования облученных образцов судят о возможностях использования в условиях облучения таких, у которых градация изменения величины VTH() соответствует категориям «4» и «3». Техническим результатом способа является возможность отбора стойких к эффектам TID промышленных БИС без проведения облучательного эксперимента по измерению радиационного дрейфа порогового напряжения VTH(D). 5 табл., 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента