BY 11775 С1, 30.04.2009. SU 1562711 A1, 07.05.1990. SU 1780399 A1, 30.04.1994. SU 1173359 A1, 15.08.1985. SU 1074336 A1, 23.11.1985. SU 886623 A1, 30.08.1983. SU 894821 A1, 30.12.1981.
Имя заявителя:
Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU)
Изобретатели:
Арбузов Юрий Дмитриевич (RU) Евдокимов Владимир Михайлович (RU) Стребков Дмитрий Семенович (RU) Шеповалова Ольга Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU)
Реферат
Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках включает подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувствительности, определение коэффициента отражения и вычисление квантового выхода, в качестве фотоприемника используются фотоэлектрические мезоструктуры, в которых коэффициент разделения носителей заряда является неизменным в широкой спектральной области длин волн, меньших характеристической длины волны структуры, и характеризующиеся теоретической моделью расчета, измеряется одна физическая величина, и квантовый выход излучения с длиной волны X определяется по предложенной формуле. Изобретение обеспечивает упрощение процесса измерения, повышение точности и достоверности измерений, расширение спектрального диапазона. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента