Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // 1 Appl. Phys. 1974. V.45. P.3023-3032. SU 1408474 A1, 07.07.1988. SU 1005221 A, 15.03.83. EP 0470692 A2, 12.02.1992. EP 0117259 A1, 05.09.1984.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет (RU)
Изобретатели:
Вишняков Николай Владимирович (RU) Гудзев Валерий Владимирович (RU) Зубков Михаил Владимирович (RU) Литвинов Владимир Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники. Способ определения энергии ионизации глубоких уровней заключается в том, что образец полупроводниковой барьерной структуры помещают в измерительную ячейку, определяют температурную зависимость времени релаксации при внешних воздействиях импульсами напряжения обратного смещения с амплитудой V1, полученный сигнал с образца умножают на опорный сигнал F(t), производят селекцию по времени релаксации и определяют максимальное выходное напряжение U и температуру максимума пика спектра DLTS (Тмакс). Вводят дополнительный импульс напряжения обратного смещения с амплитудой V2>V1, причем |V2-V1|>>k·Тмакс/е, определяют два значения амплитуды пиков спектра DLTS U1 и U2, соответствующих одной и той же постоянной времени релаксации и различной амплитуде импульсов напряжения обратного смещения V1 и V2, производят определение энергии ионизации глубокого уровня (АЕ) по предложенной формуле. Устройство, реализующее способ, содержит генератор прямоугольных импульсов сложной формы, подсоединенный к устройству релаксационной спектроскопии глубоких уровней с возможностью изменения температуры исследуемого образца. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента