RU 2318218 C1, 27.02.2008. RU 94039385 A1, 20.07.1996. SU 1709493 A1, 30.01.1992. SU 347691 A, 10.08.1972. JP 2002168801 A, 14.06.2002. GB 2370155 A, 19.06.2002. GB 2284675 A, 14.06.1995. DE 3213335 A1, 13.10.1983. JP 58011840 A, 20.01.1983.
Имя заявителя:
ООО НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ФИРМА "ЭЛЕКТРОН" (RU)
Изобретатели:
Владимиров Валерий Михайлович (RU) Марков Владимир Витальевич (RU) Мартыновский Владимир Николаевич (RU) Шепов Владимир Николаевич (RU)
Патентообладатели:
ООО НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ФИРМА "ЭЛЕКТРОН" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом. Повышение точности измерений времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках бесконтактным СВЧ методом является техническим результатом изобретения. Предложенное устройство с управляемыми СВЧ блоком, измерительным блоком, СВЧ резонатором, блоком автоматической калибровки и измерения с применением компьютера содержит СВЧ резонатор, который выполнен в виде диэлектрической подложки, с одной стороны которой, полностью металлизированной и являющейся экраном, закреплен лазерный диод, а на другой стороне расположен полосковый проводник, свернутый таким образом, что его противоположные концы сведены вместе через зазор, между концами полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента